具有沟槽型终端结构的超级结半导体器件

摘要

本发明公开了一种具有沟槽型终端结构的超级结半导体器件，包括：半导体基底，第一电极；半导体区域，其包括有源区域和终端区域；有源器件，形成在所述有源区域内，包括多个等间距的第一沟槽；基极区，源极区；绝缘控制电极，钝化绝缘层；多个第二沟槽，形成于所述终端区域中，所述第一沟槽和第二沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；第二电极，其连续覆盖在钝化绝缘层和第二沟槽之上；所述第二沟槽，其表面形状为环形且包围所述有源区域，环形的第二沟槽的拐角处为圆弧形状，其余地方为直线形状，且拐角处的宽度与直线处的宽度不相等。本发明能够优化超级结终端结构，降低外延生长成本。

主权项

一种具有沟槽型终端结构的超级结半导体器件，包括：半导体基底；第一电极，形成在所述半导体基底的背面；半导体区域，形成在所述半导体基底的上端面；其具有第一导电类型，包括有源区域和终端区域；有源器件，形成在所述有源区域内，包括多个等间距的第一沟槽，沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；具有第二传导类型的基极区，其在相邻的两个第一沟槽之间的半导体区域中形成；具有第一传导类型的源极区，其在基极区内形成；绝缘控制电极，其临近所述基极区和源极区，并配置成控制在所述源极区和第一电极之间的电流流动；钝化绝缘层，其覆盖在所述绝缘控制电极顶部及周围；多个第二沟槽，形成于所述终端区域中；所述第二沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；第二电极，其连续覆盖在钝化绝缘层和第二沟槽之上；其特征在于：所述第二沟槽，其表面形状为环形且包围所述有源区域，环形的第二沟槽的拐角处为圆弧形状，其余地方为直线形状，且拐角处的宽度与直线处的宽度不相等。