用于半导体器件制造的、包括凝胶层的掩模图形及其形成方法

摘要

掩模图形包括抗蚀剂图形和抗蚀剂图形的表面上的凝胶层，凝胶层具有包括质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的结点。还提供形成掩模图形的方法和使用该掩模图形作为刻蚀掩模制造半导体器件的方法。

主权项

1.一种用于半导体器件制造的掩模图形，包括：抗蚀剂图形；以及抗蚀剂图形的表面上的凝胶层，该凝胶层具有包括质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的结点，其中凝胶层的所述结点包括：能经受氢键合以及其中质子供体聚合物和质子受体聚合物在其间氢键合的多个区域；以及缺陷区域，其中质子供体聚合物和质子受体聚合物在其间不被氢键合以便在氢键区之间形成缺乏氢键合的区域，凝胶层的所述缺陷区域在氢键区之间形成回线，以及其中质子受体聚合物包括第一重复单元，该第一重复单元包括具有酰胺基的单体单元，所述具有酰胺基的单体单元为根据下列化学式的乙烯基单体单元：其中R₅是氢或甲基；R₆和R₇每个独立地是氢或C₁至C₂₀烷基，以及R₆和R₇可以以-R₆-R₇形式连接，以形成环状结构，由此所得的乙烯基单元具有下列化学式：其中n是1至5的整数；或者所述具有酰胺基的单体单元为根据下列化学式的乙烯基单体单元：其中R₈是氢或甲基；以及R₉和R₁₀每个独立地是氢、甲基、正丙基或异丙基；质子供体聚合物包括第一重复单元，该第一重复单元包括根据下式的马来酸单体单元：其中R₃和R₄每个独立地是氢、甲基(异丙基)(2-甲基-丁-3-酮-2基)或乙酰基(异丙基)(2-甲基-丁-3-酮-2基)或C₁至C₂₀酸-不稳定的基，所述酸-不稳定的基选自：叔-丁基、异降冰片基、2-甲基-2-金刚烷基、2-乙基-2-金刚烷基、3-四氢呋喃基、3-氧代环己基、γ-丁基内酯-3-基、甲羟戍酸内酯、γ-丁内酯-2-基、3甲基-γ-丁内酯-3-基、2-四氢吡喃基、2-四氢呋喃基、2，3-碳酸亚丙酯-1-基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-(2-甲氧基乙氧基)乙基、1-(2-乙酸基乙氧基)乙基、叔丁氧羰基甲基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、三甲氧基甲硅烷基和三乙氧基甲硅烷基。