发明名称 | 垂直相变存储器的制备方法 | ||
摘要 | 一种垂直相变存储器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上生长第一金属层作为底部电极;步骤2:在第一金属层上淀积第一绝缘材料层;步骤3:采用微纳加工技术将该第一绝缘材料层制作成纳米尺寸的绝缘柱体;步骤4:在第一金属层上和绝缘柱体的表面淀积第二金属层作为加热电极;步骤5:在第二金属层上淀积第二绝缘材料层;步骤6:用化学机械抛光的方法抛光表面,同时切断绝缘柱体顶部的第二金属层的连接,形成环形的加热电极;步骤7:最后淀积相变材料和顶部电极,引出电极即可形成垂直相变存储器。 | ||
申请公布号 | CN101794862B | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
申请号 | CN201010113827.5 | 申请日期 | 2010.02.24 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 |
分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种垂直相变存储器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上生长第一金属层作为底部电极;步骤2:在第一金属层上淀积第一绝缘材料层;步骤3:采用微纳加工技术将该第一绝缘材料层制作成纳米尺寸的绝缘柱体;步骤4:在第一金属层上和绝缘柱体的表面淀积第二金属层作为加热电极;步骤5:在第二金属层上淀积第二绝缘材料层;步骤6:用化学机械抛光的方法抛光表面,同时切断绝缘柱体顶部的第二金属层的连接,形成环形的加热电极;步骤7:最后淀积相变材料和顶部电极,引出电极即可形成垂直相变存储器。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |