| 发明名称 | 半导体基板及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN101816060B | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200880110286.1 | 申请日期 | 2008.10.06 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学;信越半导体株式会社 | 发明人 | 大见忠弘;寺本章伸;诹访智之;黑田理人;工藤秀雄;速水善范 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种半导体基板，其特征在于，在基板表面具有按原子台阶形成阶梯状的多个平台，所述多个平台沿特定方向直线延伸并形成周期性的所述原子台阶，而形成直线性且周期性的台阶/平台构造。 | ||
| 地址 | 日本国宫城县 | ||