含有超晶格结构的p-i-n型InGaN太阳电池

摘要

本发明公开了一种含有超晶格结构的p-i-n型InGaN太阳电池。主要解决现有多p-i-n型InGaN太阳电池的转换效率低的问题。该太阳电池自下而上依次为：衬底，高温生长的AlN成核层(11)，非故意掺杂的GaN缓冲层(12)，厚度为50～100nm、电子浓度为1×1018～6×1019/cm3的n-GaN层(13)，周期为8～30的InGaN/GaN超晶格结构(14)，以及厚度为50～100nm、穴浓度为1×1017～6×1018/cm3的p-GaN层(15)；其中InGaN/GaN超晶格的阱层InGaN(18)厚度为8～16nm，In组分为15～90％，垒层GaN(19)的厚度为3～8nm，载流子浓度均为1×1016～2×1017/cm3；p-GaN层(15)的表面分布着栅形Ni/Au欧姆电极(16)，n-GaN层(15)表面的右侧引出Al/Au欧姆电极(17)。本发明大大提高了电池的短路电流，具有更高的转换效率，可用于太阳能光伏发电。

主权项

一种含有超晶格结构的p‑i‑n型InGaN太阳电池，包括：衬底、AlN成核层(11)和GaN缓冲层(12)，其特征在于，GaN缓冲层上依次设有n‑GaN层(13)、InGaN/GaN超晶格结构(14)和p‑GaN层(15)；在p‑GaN层上引出Ni/Au欧姆接触金属电极(16)，在n‑GaN层上引出Al/Au欧姆接触金属电极(17)。