| 发明名称 | 晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅极结构和位于所述栅极结构侧面的侧墙；在所述半导体衬底上形成图案化的光刻胶层；以所述光刻胶层、栅极结构和侧墙为掩模，在所述半导体衬底内进行轻掺杂离子注入，形成源/漏延伸区；以所述光刻胶层、栅极结构和侧墙为掩模，在所述源/漏延伸区内进行重掺杂离子注入，形成源/漏区。本发明可以简化步骤，节省生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102315131A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201110300269.8 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘正超 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅极结构和位于所述栅极结构侧面的侧墙；在所述半导体衬底上形成图案化的光刻胶层；以所述光刻胶层、栅极结构和侧墙为掩模，在所述半导体衬底内进行轻掺杂离子注入，形成源/漏延伸区；以所述光刻胶层、栅极结构和侧墙为掩模，在所述源/漏延伸区内进行重掺杂离子注入，形成源/漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||