发明名称 | 一种优化集成电路版图热分布的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种优化集成电路版图热分布的方法,属于集成电路设计自动化领域。该方法包括:输入电路网表、电路仿真结果、电路的物理版图和电路的物理设计规则;进行电路分析,确定电路中的关键器件和关键线网;根据电路的物理设计规则,在电路的物理版图上设定填充障碍;进行热分析,确定电路的物理版图上的关键热点;为关键热点增加导热通路,根据导热通路和电路的物理设计规则在金属层上依据填充哑金属图形,根据导热通路和设计规则增加哑金属通孔以连接导热通路上的哑金属图形,直至不能通过新的哑金属填充优化电路的物理版图热分布;输出填充的金属图形到物理版图数据库。本发明可有效地通过哑金属填充优化集成电路物理版图上的热分布。 | ||
申请公布号 | CN102314526A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
申请号 | CN201010216481.1 | 申请日期 | 2010.07.02 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 吴玉平;陈岚;叶甜春 |
分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
主权项 | 一种优化集成电路版图热分布的方法,其特征在于,包括:步骤1,输入电路网表、电路仿真结果、电路的物理版图和电路的物理设计规则;步骤2,根据所述电路网表、电路仿真结果以及电路的物理版图进行电路分析,确定电路中的关键器件和关键线网;步骤3,根据所述电路的物理设计规则,在所述电路的物理版图上设定填充障碍;步骤4,根据所述电路仿真结果进行热分析,确定所述电路的物理版图上的关键热点;步骤5,为所述关键热点增加导热通路,根据所述导热通路和电路的物理设计规则在金属层上依据所述填充哑金属图形,根据所述导热通路和电路的物理设计规则增加哑金属通孔以连接所述导热通路上的哑金属图形,直至不能通过新的哑金属填充优化电路的物理版图热分布;步骤6,输出填充的金属图形到物理版图数据库。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |