| 发明名称 | 在浸没式光刻术中使用超临界流体以干燥芯片及清洁透镜 | ||
| 摘要 | 本发明揭露浸没式光刻方法与系统，其包含透过浸没式光刻工具的透镜与浸没液体照射光阻，该浸没液体位于浸没空间中与透镜及光阻接触；从浸没空间移除浸没液体；将超临界流体注入于浸没空间中；从浸没空间移除超临界流体；以及将浸没液体注入于浸没空间中。 | ||
| 申请公布号 | CN101467102B | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200680023614.5 | 申请日期 | 2006.06.23 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司;斯班逊有限公司 | 发明人 | R·苏布拉马尼亚姆;B·辛格;K·A·潘 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 一种浸没式光刻方法，包括：透过浸没式光刻工具的透镜与浸没液体照射光阻，位于浸没空间中的所述浸没液体与所述透镜和所述光阻接触；从所述浸没空间移除所述浸没液体；将超临界流体注入所述浸没空间中；从所述浸没空间移除所述超临界流体；以及将浸没液体注入所述浸没空间中。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||