传感器及其制造方法

摘要

公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的第一器件晶片(100)，其然后接合到包括绝缘体上硅晶片的第二器件晶片(200)以形成通气的悬置结构，该结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量差分压力。在一个实施例中，嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。

主权项

一种用于测量环境的力的传感器，所述传感器包括：在衬底晶片(300)中从所述衬底晶片(300)的顶面延伸到所述衬底晶片(300)的外表面的通气孔腔(330)；第一器件层(210)，其中所述第一器件层(210)的底面接合到所述衬底晶片(300)的所述顶面；延伸通过所述第一器件层(210)到所述通气孔腔(330)的膜片腔(230)；第二器件层(110)，其中所述第二器件层(110)的底面接合到所述第一器件层(210)的顶面以在所述膜片腔(230)上形成膜片(130)；以及接近所述膜片(130)在所述第二器件层(110)中用于感测所述膜片(130)中的挠曲的感测元件(140)。