发明名称 一种非晶硅晶体硅结合型太阳能电池及其制备方法
摘要 一种非晶硅晶体硅结合型太阳能电池及其制备方法涉及太阳能应用技术领域。电池是按背板钢化玻璃层、PVB或EVA层、晶硅电池层、PVB或EVA层、AZO层、非晶硅层、TCO层和玻璃基板依次排列制成,制备方法包括在玻璃基板上制备TCO;TCO膜层激光刻划;制备PIN电池层;制备电池背电极;刻划背电极;引出正负电极;铺设PVB或者EVA;铺设单晶硅或多晶硅太阳能电池片;铺设PVB或EVA;叠片。通过该方法可以实现非晶硅太阳能电池与晶体硅太阳能电池对光谱吸收特性的互补,从而达到对太阳能量的充分利用,使得太阳能电池的转化效率更高,可由目前晶硅转换效率的15%增加到20~25%,使太阳能电池的应用更加广泛。
申请公布号 CN102315328A 申请公布日期 2012.01.11
申请号 CN201110265497.6 申请日期 2011.09.08
申请人 牡丹江旭阳太阳能科技有限公司 发明人 甄雁卉;李鹏;林宏达;王恩忠
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 牡丹江市丹江专利事务所 23205 代理人 张雨红
主权项 一种非晶硅晶体硅结合型太阳能电池及其制备方法,其特征在于,太阳能电池是按背板钢化玻璃层、PVB或EVA层、晶硅电池层、PVB或EVA层、AZO层、非晶硅层、TCO层和玻璃基板依次排列制成,制备方法包括以下步骤:a、用LPCVD或磁控溅射在玻璃基板上制备TCO;b、对玻璃基板上的TCO膜层激光刻划,制造子电池;c、在TCO膜层上制备PIN电池层;d、激光刻划PIN电池膜层;e、用磁控溅射制备电池背电极,包括AZO、Ag膜层;f、激光刻划背电极,激光清边机清边;g、引出正负电极,用超声波焊接机焊接汇流条、引流条;h、铺设PVB或者EVA;i、铺设单晶硅或多晶硅太阳能电池片,焊接电极,并引出导线;j、铺设PVB或EVA,厚度控制在1~1.5mm;k、叠片,把背板钢化玻璃按要求放置在PVB或EVA上;l、辊压机预压,高压釜层压封装后经过清理、检验、检测、包装等工序就制造出非晶硅/晶体硅结合型太阳能电池。
地址 157000 黑龙江省牡丹江市阳明区裕民路南莲花北路东对俄贸易加工园区