用单个处理支持高性能逻辑和模拟电路的处理/设计方法

摘要

本发明提供使用正向偏置和修改的混合信号处理的电路设计改善模拟电路的性能的方法。由多个晶体管组成的电路被定义。NMOS晶体管的主体端子被耦合到第一电压源，并且PMOS晶体管的主体端子被耦合到第二电压源。通过施加第一电压源到所选择的每个NMOS晶体管的主体端子和施加第二电压源到所选择的每个PMOS晶体管的主体端子选择性地偏置PMOS晶体管，电路中的晶体管被选择性地偏置。在一个实施方式中，第一电压源和第二电压源可修改以向晶体管的主体端子提供正向和反向偏置。

主权项

一种增加模拟电路的栅极过驱动余量的方法，包括：从多个晶体管定义电路，所述多个晶体管由NMOS晶体管的集合和PMOS晶体管的集合组成；将所述NMOS晶体管的集合耦合到第一电压源；将所述PMOS晶体管的集合耦合到第二电压源；以及通过施加所述第一电压源到所选择的每个所述NMOS晶体管的主体端子选择性地偏置所述NMOS晶体管的集合并且通过施加所述第二电压源到所选择的每个所述PMOS晶体管的主体端子选择性地偏置所述PMOS晶体管的集合。