| 发明名称 | 超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构 | ||
| 摘要 | 一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排N型掺杂硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排P型掺杂硅区域。 | ||
| 申请公布号 | CN102315274A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201110311815.8 | 申请日期 | 2011.10.15 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 钱钦松;祝靖;林颜章;马文力;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 汤志武 |
| 主权项 | 种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底(4)，在N型重掺杂硅衬底(4)的下表面设置有漏极金属(11)，在N型重掺杂硅衬底(4)的上表面设有N型掺杂硅外延层(5)，在N型掺杂硅外延层(5)上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域(6)和N型掺杂硅柱状区域(7)，P型掺杂硅柱状区域(6)和N型掺杂硅柱状区域(7)交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层(8)，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域(6)顶部设有一排N型掺杂硅区域(9)，在N型掺杂硅柱状区域(7) 顶部设有一排P型掺杂硅区域(10)。 | ||
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 | ||