| 发明名称 | 半导体器件、半导体显示器件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于不只是依赖于微细加工技术地实现半导体集成电路的高性能化。此外，本发明的目的还在于实现半导体集成电路的低耗电化。本发明提供一种半导体器件，其中在第一导电型的MISFET和第二导电型的MISFET中，单晶半导体层的晶面及/或晶轴互相不同。使在各个MISFET中向沟道长方向流过的载流子的迁移度增加地设定该晶面及/或晶轴。因为采用这种结构，流过MISFET的沟道的载流子的迁移度增加，所以可以实现半导体集成电路的工作的高速化。此外，可以低电压驱动，因此可以实现低耗电化。 | ||
| 申请公布号 | CN101266982B | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200810085387.X | 申请日期 | 2008.03.14 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;宫入秀和 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：设置在绝缘衬底的相同表面上的至少第一单晶半导体层及第二单晶半导体层，其中，所述第一单晶半导体层具有n型杂质区，所述第二单晶半导体层具有p型杂质区，并且，所述第一单晶半导体层的晶面为{100}，所述第二单晶半导体层的晶面为{110}，并且，所述第一单晶半导体层的沟道长方向为<100>方位，所述第二单晶半导体层的沟道长方向为<110>方位。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||