半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成氮化硅膜；在所述氮化硅膜上形成非晶半导体膜；向所述非晶半导体膜提供具有促进结晶的催化作用的金属元素；使所述非晶半导体膜结晶，形成结晶半导体膜；在所述结晶半导体膜上形成包含惰性气体元素的第二半导体膜；以及通过将所述金属元素移到所述第二半导体膜降低所述结晶半导体膜中的所述金属元素的浓度。