制作沟槽半导体器件的方法及其结构

摘要

在一种实施方式中，制作一种沟槽半导体器件，其沿着沟槽的侧壁具有第一厚度的氧化物，而且沿着该沟槽的底部的至少一部分具有更厚的厚度。

主权项

一种制作沟槽半导体器件的方法，包括以下步骤：提供具有第一表面的半导体衬底；从第一表面向该半导体衬底内形成第一开口，其中第一开口具有侧壁和底部；在第一开口的侧壁和底部上形成第一二氧化硅层并达到第一厚度；在所述第一二氧化硅层上形成多晶硅层，然后去除该多晶硅层的非垂直部分以露出所述底部；增加沿该底部的一部分第一二氧化硅层的所述第一厚度并达到第二厚度，而不增加位于侧壁上的第一二氧化硅层的所述第一厚度，其中所述第二厚度大于所述第一厚度，并且留下所述侧壁上的所述第一二氧化硅层上的所述多晶硅层。