| 发明名称 | 包含碳化硅层的层型结构、其制备方法及其用途 | ||
| 摘要 | 一种层型结构以如下顺序包含：(A)碳化硅层，(B)至少一个(b1)位于碳化硅层(A)的至少一个主表面上、(b2)通过硅氧键和/或硅碳键化学键合到碳化硅层(A)的主体上、(b3)部分或完全覆盖碳化硅层(A)的至少一个主表面和(b4)如与水的接触角低于水与纯碳化硅表面的接触角所示具有比纯碳化硅表面高的极性的层；和(C)至少一个介电层，其部分或完全覆盖层(B)且选自无机和无机-有机杂化物介电层；一种其制备方法和其用途。 | ||
| 申请公布号 | CN102318044A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200980116420.3 | 申请日期 | 2009.04.27 |
| 申请人 | 巴斯夫欧洲公司 | 发明人 | A·特劳特;N·瓦格纳;C·H·S·谢 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘金辉;林柏楠 |
| 主权项 | 一种层型结构，以如下顺序包含：(A)碳化硅层，(B)至少一个如下层：(b1)位于碳化硅层(A)的至少一个主表面上，(b2)通过硅氧键和/或硅碳键化学键合到碳化硅层(A)的主体上，(b3)部分或完全覆盖碳化硅层(A)的至少一个主表面，(b4)如与水的接触角低于水与纯碳化硅表面的接触角所示具有比纯碳化硅表面高的极性；和(C)至少一个介电层，其部分或完全覆盖层(B)且选自无机和无机‑有机杂化物介电层。 | ||
| 地址 | 德国路德维希港 | ||