一种半导体感光器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体感光器件，它包括一个源极、一个漏极、一个控制栅极、一个浮栅区、一个衬底以及一个用于连接浮栅区和衬底的p-n结二极管，所述半导体器件的浮栅区用于存储电荷。所述半导体器件的浮栅区电势与光照射强度和时间有关，因此可以作为半导体感光器件。本发明还公开了一种上述半导体感光器件的制造方法。本发明公开的半导体感光器件可以简化传统图像传感器中单个像素单元的设计，减小单个像素单元所占用的面积，提高图像传感芯片的像素密度，从而增加图像传感芯片的分辨率。

主权项

一种半导体感光器件，其特征在于：包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底内形成的具有第二种掺杂类型的源区和漏区；在所述半导体衬底内形成的具有第二种掺杂类型的感光区；在所述半导体衬底内形成的介于所述源区和漏区之间的一个沟道区域；在所述沟道区域之上形成的覆盖整个沟道区域的第一层绝缘薄膜；在该第一层绝缘薄膜之上形成的一个作为电荷存储节点的具有导电性的浮栅区；所述的感光区与衬底形成的一个感光p‑n结二极管；覆盖在所述浮栅区之上的第二层绝缘薄膜；以及在所述第二层绝缘薄膜之上形成的控制栅极。