| 发明名称 | 等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 一种用于使用等离子体反应处理来形成氟碳层的方法包括施加微波功率和RF偏压的步骤。在从20mTorr到60mTorr的压力下，施加微波功率和RF偏压。 | ||
| 申请公布号 | CN102317752A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201080008245.9 | 申请日期 | 2010.02.17 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 高羽博之 |
| 分类号 | G01L21/30(2006.01)I | 主分类号 | G01L21/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 宋鹤 |
| 主权项 | 一种用于使用等离子体反应处理来形成氟碳层的方法，所述方法包括如下步骤：在不小于20mTorr并且不大于60mTorr的压力下，施加微波功率和RF偏压。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||