一种Cu-CeO₂触头材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种Cu-CeO2触头材料，材料中CeO2重量为Cu基体总重量的1％～5％，通过在铜基体中添加稀土金属氧化物CeO2，并将其均匀分布于基体中，使材料的硬度、强度得到进一步提高，改善其物理性能，使之具有良好的电弧分散性及电弧稳定性，使触头材料的综合性能得到提高，本发明还提供了该触头材料的制备方法：称取CeO2，加入CuSO4溶液中，再加入分散剂得到分散体系，将得到的分散体系加入水合肼，用氢氧化钠调节pH为10～11，70～80℃温度下反应30～50min，过滤，干燥；将得到的粉末置于真空炉中过高温；将过真空炉后的混合粉压坯，烧结，即制得Cu-CeO2触头材料。

主权项

一种制备Cu‑CeO2触头材料的方法，所述Cu‑CeO2触头材料中，CeO2重量为Cu基体总重量的1％～5％，包括以下步骤：第一步，称取CuSO4，溶于水配制成质量浓度为5％～15％的CuSO4水溶液，其中称取CuSO4的质量根据要制备Cu‑CeO2触头材料的质量以及Cu‑CeO2触头材料中Cu的质量分数再通过Cu的化学平衡计算得出；第二步，称取CeO2，加入第一步配制的CuSO4溶液中，加入CeO2‑CuSO4溶液质量1％的聚乙烯吡咯烷酮作分散剂，搅拌至均匀得到分散体系，其中称取CeO2的质量根据要制备Cu‑CeO2触头材料的质量以及Cu‑CeO2触头材料中CeO2的质量分数计算得出；第三步，将得到的分散体系加入1.1倍的水合肼，用氢氧化钠调节pH为10～11，70～80℃温度反应30～50min，过滤，在40～50℃温度下干燥3h，得到混合粉末；第四步，将上步干燥后的粉末置于真空炉中，在850～900℃下保持真空度＜1×10‑3Pa持续1～2h；第五步，将过真空炉后的混合粉压坯，在850～950℃温度下烧结2h，即制得Cu‑CeO2触头材料。