多电平单元存储器器件及相关读取方法

摘要

一种NOR闪存存储器器件包括适合于存储至少两个比特数据的存储器单元。通过生成检测最高有效比特(MSB)的值的、具有第一幅值的基准电流，以及生成检测最低有效比特(LSB)的值的、具有第二幅值的基准电流，在存储器单元上执行读操作。在读操作期间，通过把第一和第二基准电流与流过存储器单元的电流量进行比较，检测MSB和LSB的各自的值。根据基准电压生成器所生成的不同的基准电压确定第一和第二基准电流的各自的幅值。

主权项

一种NOR闪存存储器器件，包括：存储器单元，适合于存储两个或两个以上比特的数据；基准电压生成器，适合于生成多个不同的基准电压；感测放大器，适合于根据基准电流顺序地检测所述两个或两个以上比特的数据的值，该基准电流的幅值由所述不同的基准电压确定；以及选择电路，适合于选择所述不同基准电压中的哪一个来确定所述基准电流的幅值。