发明名称 具有减少金属污染的衬套的等离子源
摘要 提供一种具有金属腔室壁的等离子腔室(102)的等离子源(100),此等离子源(100)包括处理气体。介电窗(120、122)将射频信号传送至等离子腔室中。射频信号激发以及离子化处理气体,从而在等离子腔室中形成等离子。等离子腔室衬套(125)定位于等离子腔室内部,并提供等离子腔室内部的遮蔽,以遮蔽离子撞击等离子腔室的金属壁(102′)而溅镀的金属。
申请公布号 CN101627454B 申请公布日期 2012.01.11
申请号 CN200880002319.0 申请日期 2008.01.15
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 理查德·J·赫尔特;李祐家;菲利浦·J·麦桂尔;提摩太·J·米勒;哈勒德·M·波辛;维克拉姆·辛
分类号 H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01J37/32(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 一种等离子源,包括:a)等离子腔室,其具有金属腔室壁,所述等离子腔室在所述等离子腔室内部包括处理气体;b)介电窗,其将射频信号传送至所述等离子腔室中,所述射频信号电磁耦合至所述等离子腔室中以激发以及离子化所述处理气体,从而在所述等离子腔室中形成等离子;以及c)等离子腔室衬套,其定位于所述等离子腔室内部,所述等离子腔室衬套提供所述等离子腔室的所述内部的遮蔽,以遮蔽离子撞击所述等离子腔室的所述金属壁而溅镀的金属,其中所述等离子腔室衬套还包括分隔板,所述分隔板附接至所述等离子腔室衬套的顶部,以使所述等离子腔室衬套定位于所述等离子腔室中。
地址 美国麻萨诸塞州