发明名称 具有嵌入式多类型存储器的存储器
摘要 一种具有嵌入式多类型存储器的存储器结构,该存储器包括:第一类型的存储器;以及第二类型的存储器,其形成于第一类型的存储器上,其中第一类型的存储器以及第二类型的存储器中的一种为非易失性存储器,且第一类型的存储器以及第二类型的存储器中的另一种为易失性存储器或为非易失性存储器。另外,非易失性存储器可包括每一存储器单元的储存元件,此储存元件包括:底部电极层;储存体材料层,其安置于底部电极层上方,其中储存体材料在不同电操作条件下具有至少两种物理状态;以及顶部电极层,其安置于储存体材料层上方。
申请公布号 CN101325086B 申请公布日期 2012.01.11
申请号 CN200810092809.6 申请日期 2008.05.04
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 赵凌强
分类号 G11C7/10(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I 主分类号 G11C7/10(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种存储器,其特征在于,包含:一第一部分电路,是一第一类型的存储器,是一非易失性存储器,该非易失性存储器为导体/储存体/导体的叠层结构所构成的一存储器;以及一第二部分电路,是一第二类型的存储器,包括易失性存储器,或是由导体/储存体/导体的叠层结构所构成的一非易失性存储器,其中所述第一部分电路与所述第二部分电路构成一集成电路,且所述第一部分电路直接制造于所述第二部分电路上。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号