发明名称 旨在减少施主衬底拉伸应力状态的异质结构体的制造方法
摘要 本发明涉及一种制造特别打算应用于电子、光电、光学或光电子领域的异质结构体的方法,所述方法包括以下步骤:将原子物质注入至第一所谓的“施主”衬底(1)内部,以在其中形成脆弱区(11);在施主衬底(1)上组装第二所谓的“受主”衬底(3);沿脆弱区(11)分离出所述施主衬底(1)的后部以在该受主衬底上赋予需要的薄层(12),其中,所述受主衬底(3)的热膨胀系数大于施主衬底(1)的热膨胀系数,而且为便于分离,在所述组装后且所述分离前施加所谓的“分离”退火,其特征在于以下事实:所述分离退火包括以下同步施加:对施主衬底(1)施加第一温度;对受主衬底(3)施加不同于第一温度的第二温度;对所述第一温度和第二温度进行选择,以减少施主衬底(1)的拉伸应力状态。
申请公布号 CN102318055A 申请公布日期 2012.01.11
申请号 CN200980156845.7 申请日期 2009.09.09
申请人 硅绝缘体技术有限公司 发明人 马克·凯纳德
分类号 H01L21/762(2006.01)I 主分类号 H01L21/762(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 丁香兰;庞东成
主权项 一种制造特别打算应用于电子、光电、光学或光电子领域的异质结构体的方法,所述方法包括以下步骤:‑将原子物质注入至第一所谓的“施主”衬底(1)内部,以在其中形成脆弱区(11),‑在所述施主衬底(1)上组装第二所谓的“受主”衬底(3),‑沿所述脆弱区(11)分离出所述施主衬底(1)的后部,以在所述受主衬底上赋予需要的薄层(12),其中,所述受主衬底(3)的热膨胀系数大于所述施主衬底(1)的热膨胀系数,而且为便于分离,在所述组装后且所述分离前施加所谓的“分离”退火,其特征在于以下事实:所述分离退火包括以下同步施加:‑对所述施主衬底(1)施加第一温度;‑对所述受主衬底(3)施加不同于所述第一温度的第二温度;对所述第一温度和第二温度进行选择,以减少所述施主衬底(1)的拉伸应力状态。
地址 法国伯涅尼
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