一种微电子压力传感器及其制备工艺

摘要

一种微电子压力传感器，基于霍尔效应原理，设置一玻璃衬底层，在玻璃衬底层上表面附着硅片层，硅片层上附着氧化硅层，硅片层下表面的中心位置处设有一凹坑，与玻璃衬底层上表面之间形成空腔，凹坑之底面和开口面均为正方形，底面正方形小于开口面正方形，在氧化硅层上附着一层与凹坑底面正方形尺寸相同的正方形硅电阻层，在其四个顶角上各设置一个与硅电阻层连接的金属电极片，玻璃衬底层下表面与一永磁体固接。制备工艺为在硅片上生长氧化层和硅电阻层并通过光刻和刻蚀形成一定形状电阻，硅片与玻璃阳极键合形成密封腔并在芯片下方粘帖永磁体。

主权项

一种微电子压力传感器，其特征在于：以玻璃衬底为芯片基板，在玻璃衬底上表面附着硅片层，硅片层上附着氧化硅层，硅片层下表面的中心位置处设有一凹坑，凹坑与玻璃衬底层上表面之间形成空腔，凹坑之底面和开口面均为正方形，底面正方形小于开口面正方形，在氧化硅层上附着一层与凹坑底面正方形尺寸相同的正方形硅电阻层，在其四个顶角上各设置一个与硅电阻层连接的金属电极片，其中一个对角线上的两个电极用于通电流，另一条对角线上的两个电极用于测量输出电压，玻璃衬底层下表面与一永磁体固接，永磁体尺寸≥凹坑底面正方形。