| 发明名称 | 硅器件结构及其形成时所使用的溅射靶材料 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅器件结构及其形成时所使用的溅射靶材料，旨在提高硅器件的饱和迁移率特性。一种在硅半导体膜上具有P掺杂n+型非晶硅膜和在该P掺杂n+型非晶硅膜上形成的配线的硅器件结构，所述配线由在所述P掺杂n+型非晶硅膜的表面形成的氧化硅膜和铜合金膜组成，所述铜合金膜是通过溅射含有1原子％以上5原子％以下的Mn以及0.05原子％以上1.0原子％以下的P的铜合金而形成的膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102315276A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201110152098.9 | 申请日期 | 2011.06.01 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 辰巳宪之;外木达也 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶;於毓桢 |
| 主权项 | 一种硅器件结构，其为在硅半导体膜上具有P掺杂n+型非晶硅膜和在该P掺杂n+型非晶硅膜上形成的配线的硅器件结构，所述配线由在所述P掺杂n+型非晶硅膜的表面形成的氧化硅膜和铜合金膜组成，所述铜合金膜是通过溅射含有1原子％以上5原子％以下的Mn以及0.05原子％以上1.0原子％以下的P的铜合金而形成的膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||