| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，晶片上旋涂第一PR，并对第一PR进行惰性气体元素的离子注入；对第一PR进行光刻，在晶片上暴露出NMOS管后，向晶片内进行N型元素的离子注入，形成NMOS管的漏极和源极；去除第一PR；在晶片上旋涂第二PR，并对第二PR进行惰性气体元素的离子注入；对第二PR进行光刻，在晶片上暴露出PMOS管后，向晶片内进行P型元素的离子注入，形成PMOS管的漏极和源极。采用该方法能够避免离子注入过剂量。 | ||
| 申请公布号 | CN102315105A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201010228182.X | 申请日期 | 2010.07.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈勇 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/425(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 谢安昆;宋志强 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，该方法包括：晶片上旋涂第一光阻胶PR，并对第一PR进行惰性气体元素的离子注入；对第一PR进行光刻，在晶片上暴露出N型金属氧化物半导体NMOS管后，向晶片内进行N型元素的离子注入，形成NMOS管的漏极和源极；去除第一PR；在晶片上旋涂第二PR，并对第二PR进行惰性气体元素的离子注入；对第二PR进行光刻，在晶片上暴露出P型金属氧化物半导体PMOS管后，向晶片内进行P型元素的离子注入，形成PMOS管的漏极和源极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||