| 发明名称 | 形成半导体器件的图案的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体器件的图案的方法，包括以下步骤：在包括单元区和选择晶体管区的基础层之上形成辅助层；在所述辅助层之上形成第一钝化层，其中所述第一钝化层遮挡选择晶体管区的辅助层，并且将单元区的辅助层开放；以及在所述第一钝化层之上形成(a)宽度比所述第一钝化层窄的第一光致抗蚀剂图案，并且在辅助层的开放的区域之上形成(b)第二光致抗蚀剂图案，第二光致抗蚀剂图案的每个的宽度比第一光致抗蚀剂图案窄，其中所述第一和第二光致抗蚀剂图案之间的间隙与在第二光致抗蚀剂图案之间限定的间隙的宽度相同。 | ||
| 申请公布号 | CN102315118A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201010536292.2 | 申请日期 | 2010.11.09 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 玄灿顺 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的图案的方法，包括以下步骤：在包括单元区和选择晶体管区的基础层之上形成辅助层；在所述辅助层之上形成第一钝化层，其中所述第一钝化层遮挡选择所述晶体管区的辅助层，而将所述单元区的辅助层开放；和在所述第一钝化层之上形成具有比所述第一钝化层窄的宽度的第一光致抗蚀剂图案，并且在所述辅助层的开放的区域之上形成第二光致抗蚀剂图案，以限定所述第一光致抗蚀剂图案与所述第二光致抗蚀剂图案之间的间隙以及所述第二光致抗蚀剂图案之间的间隙，所述第二光致抗蚀剂图案的每个的宽度都比所述第一光致抗蚀剂图案窄，其中所述第一光致抗蚀剂图案与所述第二光致抗蚀剂图案之间的间隙与在所述第二光致抗蚀剂图案之间限定的间隙的宽度相同。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||