| 发明名称 | 闪存单元及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供一种闪存单元及其形成方法，本发明的实施例所提供闪存单元包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括依次形成的隧穿氧化层、浮动栅极、隔离氧化层和控制栅极；位于所述栅极结构两侧半导体衬底内的源、漏极；所述浮动栅极具有靠近漏极的第一p型掺杂端和靠近源极的第二p型掺杂端，其他部分的掺杂类型为n型。通过本发明可以提高闪存单元的存储性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102315226A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201110300213.2 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 曹子贵 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种闪存单元，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括依次形成的隧穿氧化层、浮动栅极、隔离氧化层和控制栅极；位于所述栅极结构两侧半导体衬底内的源、漏极；其特征在于，所述浮动栅极具有靠近漏极的第一p型掺杂端和靠近源极的第二p型掺杂端，其他部分的掺杂类型为n型。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||