半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法。寻求改进具有优秀的反向特性的尺寸缩小的半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括具有多边形外形的半导体主体。有源区形成在半导体主体中。EQR电极形成为围绕有源区并且具有沿着半导体主体的角EQR电极的弯曲部分。层间绝缘膜形成为覆盖有源区和EQR电极。EQR电极嵌入在有源区周围的层间绝缘膜中。EQR接触接触EQR电极的弯曲部分和弯曲部分的外侧的半导体主体，并且至少具有覆盖有层间绝缘膜的侧壁。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体主体，所述半导体主体具有多边形形状并且具有包括形成在其中的晶体管元件的有源区；绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述半导体主体的上方；EQR电极，所述EQR电极嵌入在所述有源区周围的所述绝缘膜中，并且包括在所述多边形形状的角处的弯曲部分；源极接触，所述源极接触形成在所述有源区中的所述绝缘膜内；以及EQR接触，所述EQR接触形成在所述绝缘膜内以接触所述EQR电极的弯曲部分和所述弯曲部分外侧的所述半导体主体，其中所述EQR接触的上表面在高度上低于所述绝缘膜的上表面和所述源极接触的上表面。