| 发明名称 | 用于转移在具有空位团的基片中形成的薄层的改进方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于形成半导体结构体的方法和由该方法获得的结构体，所述结构体包括转移自供体基片的层，其中所获得的结构体在缺陷方面具有改善的品质。例如，通过以下方法能够形成绝缘体上的半导体(SeOI)结构体，所述方法包括：提供具有空位团的第一密度的供体基片(1)；-提供绝缘层(3)；将薄层(10)从所述供体基片(1)转移到其上具有所述绝缘层(3)的支持基片(2)；整治经转移的所述薄层(10)从而将所述空位团的第一密度降低到第二密度；并且所述方法的特征在于所述提供绝缘层(30)的步骤包括提供与经转移的所述薄层(10)接触的阻氧层(4)，所述阻氧层限制氧在所述整治期间向所述薄层的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN101529578B | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200680056214.4 | 申请日期 | 2006.10.27 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 埃里克·内雷;奥列格·科农丘克 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种形成绝缘体上的半导体结构体(20)的方法，所述方法包括：‑提供具有第一密度的空位团的供体基片(1)；‑提供绝缘层(30)；‑将薄层(10)从所述供体基片(1)转移到其上具有所述绝缘层(30)的支持基片(2)；‑整治经转移的所述薄层(10)从而将所述空位团的第一密度降低到第二密度；所述方法的特征在于所述提供绝缘层(30)的步骤包括提供与经转移的所述薄层(10)接触的阻氧层(4)，所述阻氧层限制氧在所述整治期间向所述薄层的扩散，其中，所述提供绝缘层(30)的步骤进一步包括提供包埋层(3)以使其插入所述支持基片(2)和所述阻氧层(4)之间，从而使所述绝缘层(30)同时包含所述包埋层(3)和所述阻氧层(4)。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||