发明名称 | 发光二极管及其形成方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。此发光二极管包含基板、第一半导体层、发光层及第二半导体层,其中基板包含第一区及第二区。此发光二极管还包含多个介层孔、第一金属层、第二金属层、及夹设于第二半导体层与第一金属层之间的图案化钝化层。其中,多个介层孔位于第一区之上,且贯穿第二半导体层及发光层而暴露部分的第一半导体层。第一金属层于第一区之上,且透过该多个介层孔而与第一半导体层电性接触。第二金属层于第二区之上,与第二半导体层电性接触且与第一金属层电性绝缘。图案化钝化层用以使第一金属层分别与第二半导体层与发光层电性隔离。 | ||
申请公布号 | CN101635323B | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
申请号 | CN200810133722.9 | 申请日期 | 2008.07.25 |
申请人 | 相丰科技股份有限公司 | 发明人 | 黄禄珍 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
主权项 | 一种发光二极管,包含:基板,包含第一区及第二区;于该基板上的第一半导体层;于该第一半导体层上的发光层;于该发光层上的第二半导体层;于该第一区之上的多个介层孔,该多个介层孔贯穿该第二半导体层及该发光层而暴露部分的该第一半导体层;于该第一区之上的第一金属层,透过该多个介层孔而与该第一半导体层电性接触;以及于该第二区之上的第二金属层,与该第二半导体层电性接触且与该第一金属层电性绝缘;以及图案化钝化层,夹设于该第二半导体层与该第一金属层之间,用以使该第一金属层分别与该第二半导体层及该发光层电性隔离。 | ||
地址 | 中国台湾台北县 |