电子元件封装体及其形成方法

摘要

本发明提供一种电子元件封装体及其形成方法，其中该电子元件封装体的形成方法包括提供一承载基底，具有一上表面及一相反的下表面；于承载基底的该上表面形成至少一凹槽；于凹槽中设置一具有导电电极的晶片，晶片并由一上封装层所覆盖；于承载基底的凹槽中形成一填充层，填充层围绕上述晶片；自下表面薄化承载基底至一既定深度；于晶片内或承载基底内形成至少一穿孔；以及于穿孔的侧壁上形成一导电层，且导电层与导电电极形成电性接触。本发明可有效舒缓过于密集的导电通路布局。

主权项

一种电子元件封装体的形成方法，其特征在于，包括：提供一承载基底，具有一上表面及一与该上表面相反的下表面；于该承载基底的该上表面形成至少一凹槽；于该凹槽中设置一具有导电电极的晶片，该晶片由一上封装层所覆盖；于该承载基底的凹槽中形成一填充层，该填充层围绕该晶片；自该下表面薄化该承载基底；于该晶片内或该承载基底内形成至少一穿孔；于该穿孔的侧壁上形成一绝缘层；以及于该穿孔的侧壁上的该绝缘层上形成一导电层，且该导电层与该导电电极形成电性接触。