| 发明名称 | 光电二极管及其制作 | ||
| 摘要 | 一种光电二极管包括形成在半导体衬底(402)上的阳极(1202，1302，1402)和阴极(1306，1406)。垂直电极(702，1314，1414)与光电二极管的掩埋部件(502，1312，1412)操作性电通信。在一种实施方式中，该光电二极管是硅光电倍增器的雪崩光电二极管。衬底还可以包括集成CMOS读出电路(1102)。 | ||
| 申请公布号 | CN101669218B | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200880013595.7 | 申请日期 | 2008.03.28 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | T·弗拉克 |
| 分类号 | H01L31/103(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0288(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I;H01L31/107(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/103(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 龚海军;刘红 |
| 主权项 | 一种盖革模式雪崩光电二极管，包括：阳极(1202，1302，1402)；阴极(1306，1406)；掩埋部件(502，1312，1412)；与所述掩埋部件操作性电通信的垂直电极(702，1314，1414)，其中所述掩埋部件包括掩埋保护环并且垂直电极与掩埋保护环操作性的电通信。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||