| 发明名称 | 制备双面波长转换器和使用所述双面波长转换器的光产生装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及形成光转换元件的方法，该方法包括提供具有与第二光致发光元件一起外延生长的第一光致发光元件的半导体结构。从所述半导体结构的第一侧蚀刻所述第一光致发光元件内的第一区域，并且从所述半导体结构的第二侧蚀刻所述第二光致发光元件内的第二区域。在一些实施例中，所述波长转换器附着于电致发光元件，例如发光二极管(LED)。 | ||
| 申请公布号 | CN102318088A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200980156982.0 | 申请日期 | 2009.12.17 |
| 申请人 | 3M创新有限公司 | 发明人 | 托米·W·凯利;安德鲁·J·乌德科克;凯瑟琳·A·莱瑟达勒 |
| 分类号 | H01L33/50(2006.01)I;H01L33/20(2006.01)I;H01L33/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 梁晓广;关兆辉 |
| 主权项 | 一种形成光转换元件的方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构具有与第二光致发光元件一起外延生长的第一光致发光元件；从所述半导体结构的第一侧蚀刻所述第一光致发光元件内的第一区域；以及从所述半导体结构的第二侧蚀刻所述第二光致发光元件内的第二区域。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||