| 发明名称 | 利用ARC层打开的CD偏置负载控制 | ||
| 摘要 | 提供一种在设在图案化掩模下方的抗反射涂覆(ARC)层下方的蚀刻层中蚀刻线条图案的方法。该方法包括开口该ARC层，其中提供包括CF3I、含氟碳化合物气体(包括氢氟碳化合物)和含氧气体的ARC开口气体，由该ARC开口气体形成等离子以开口该ARC层和停止提供该ARC开口气体。通过该开口的ARC层将线条图案特征蚀刻进该蚀刻层。 | ||
| 申请公布号 | CN102318037A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200880123036.1 | 申请日期 | 2008.12.09 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 池贞浩;乔纳森·金 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
| 主权项 | 一种在设在图案化掩模下方的抗反射涂覆(ARC)层下方的蚀刻层中蚀刻线条图案的方法，该方法包括：开口该ARC层，包括：提供ARC开口气体，其包括CF3I、含氟碳化合物气体和含氧气体；由该ARC开口气体形成等离子以开口该ARC层；以及停止提供该ARC开口气体；以及通过该开口的ARC层将线条图案特征蚀刻进该蚀刻层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||