非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。该非挥发性记忆体，包括基底、堆叠栅极结构、二个掺杂区及多个间隙壁。堆叠栅极结构设置于基底上，其中堆叠栅极结构从基底由下而上依序包括第一介电层、电荷储存层、第二介电层及导体层。掺杂区分别设置于堆叠栅极结构两侧的基底中，且掺杂区的底部与位于掺杂区下方的基底相邻接。间隙壁分别设置于各个掺杂区的各侧边与基底之间，且间隙壁的顶部低于掺杂区的顶部。本发明还提供了一种非挥发性记忆体的制造方法。本发明的非挥发性记忆体可防止在掺杂区之间发生击穿现象与短通道效应，并且可防止在进行程序化时二次电子的干扰。

主权项

一种非挥发性记忆体，其特征在于其包括：一基底；一堆叠栅极结构，设置于该基底上，其中该堆叠栅极结构从该基底由下而上依序包括一第一介电层、一电荷储存层、一第二介电层及一导体层；二掺杂区，分别设置于该堆叠栅极结构两侧的该基底中，且该些掺杂区的底部与位于该些掺杂区下方的该基底相邻接；以及多个间隙壁，分别设置于各该掺杂区的各侧边与该基底之间，且该些间隙壁的顶部低于该些掺杂区的顶部。