| 发明名称 | 对平面基片进行等离子处理的方法和装置 | ||
| 摘要 | 一种用于在等离子装置中对基片进行等离子处理的方法和装置，其中所述基片(110)设置在电极(112)和对电极(108)之间并且所述基片待处理的表面区域与电极之间的间距为d，在电极(112)与对电极(108)之间通过形成DC自偏压来激励电容耦合的等离子放电，在待处理的表面区域与所述电极之间的以准中性等离子体(114)进行等离子放电的区域中存在一定量的至少一种可激活的气体，采用所述气体加载所述基片的待处理的表面区域，对等离子放电进行激励，其中间距d具有一个与s＝se+sg可比的值，其中se表示电极前的等离子边缘层(119)厚度，而sg表示待处理的基片表面前的等离子边缘层(118)厚度，或者其中所述待处理的表面区域与所述电极之间的准中性的等离子体(114)具有线性膨胀dp，且dp＜1/3d、dp＜max(se+sg)或者dp＜0.5s。 | ||
| 申请公布号 | CN102318033A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200980153624.4 | 申请日期 | 2009.11.04 |
| 申请人 | 弗兰霍菲尔运输应用研究公司;莱博德光学有限责任公司;波鸿鲁尔大学 | 发明人 | R·贝克曼;M·格斯勒;A·策语纳;M·费德勒;G·格拉伯斯;A·弗鲁格;U·察纳特克;R-P·伯林科曼;M·西摩斯 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种用于在等离子装置中对基片进行等离子处理的方法，其中‑所述基片设置在电极和对电极之间，且所述基片的待处理的表面区域与所述电极之间的间距为d，‑在电极与对电极之间以形成DC自偏压来激励电容耦合的等离子放电，‑在待处理的表面区域与所述电极之间以准中性等离子体进行等离子放电的区域中存在一定量的至少一种可激活的气体，采用所述气体加载所述基片的待处理的表面区域，‑其特征在于，激励等离子放电，‑其中间距d为一个s至2.5s范围内的值，且s＝se+sg，其中se表示电极前的等离子边缘层厚度，而sg表示待处理的基片表面前的等离子边缘层厚度，或者‑其中所述待处理的表面区域与所述电极之间的准中性的等离子体具有线性膨胀dp，且dp＜1/3d、dp＜max(se+sg)或者dp＜0.5s。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||