| 发明名称 | 发光二极管的光性量测方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管的光性量测方法，是用于检测一个置放在一个透明承载板上的发光二极管，该发光二极管具有一正面及一背面，该光性量测方法包括步骤：(A)制备一个上光侦测装置及一个下光侦测装置，分别对应该发光二极管的正、背面；(B)利用点测方式使该发光二极管发光，并由该上、下光侦测装置侦测该发光二极管的正、背面方向的光，以获得该发光二极管的正、背面方向的光性资料；(C)收集该上、下光侦测装置侦测所得的光性资料，并进行综合分析及计算。借此，可获得最接近该发光二极管封装后的光性资料。 | ||
| 申请公布号 | CN102032984B | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200910177766.6 | 申请日期 | 2009.09.25 |
| 申请人 | 惠特科技股份有限公司 | 发明人 | 赖允晋;何昭辉;徐秋田 |
| 分类号 | G01M11/02(2006.01)I | 主分类号 | G01M11/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人 | 万学堂;桑丽茹 |
| 主权项 | 一种发光二极管的光性量测方法，是用于检测一个置放在一个透明承载板上的发光二极管，该发光二极管具有一正面及一背面，其特征在于包括以下步骤：(A)制备一个上光侦测装置及一个下光侦测装置，分别对应该发光二极管的正、背面；(B)利用点测方式使该发光二极管发光，并由该上、下光侦测装置侦测该发光二极管正、背面方向的光，以获得该发光二极管正、背面方向的光性资料；及(C)收集该上、下光侦测装置侦测所得的光性资料，并进行综合分析及计算。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市西屯区工业区36路21号 | ||