发明名称 |
等离子体刻蚀装置及栅极的刻蚀方法 |
摘要 |
一种等离子体刻蚀装置,包括具有第一电极、第二电极的工艺腔、与所述第一电极电连接的激励射频电源和与所述第二电极电连接的偏置射频电源;其中,所述第一电极和第二电极相对放置,所述第一电极和第二电极之间为所述的工艺腔;所述激励射频电源用于向所述第一电极输入激励射频功率;所述偏置射频电源用于向所述第二电极输入偏置射频功率;所述激励射频电源和/或偏置射频电源为间断起辉模式的射频电源;其中,所述间断起辉模式为在单位射频周期的部分时间有功率输出的起辉模式。本发明的等离子体刻蚀装置在刻蚀时可提供更高的刻蚀选择比。本发明还提供一种栅极的刻蚀方法,本发明的方法可兼顾刻蚀速率和刻蚀选择比。 |
申请公布号 |
CN101783281B |
申请公布日期 |
2012.01.11 |
申请号 |
CN200910076699.9 |
申请日期 |
2009.01.15 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
杨盟 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
一种等离子体刻蚀装置,包括具有第一电极、第二电极的工艺腔、与所述第一电极电连接的激励射频电源和与所述第二电极电连接的偏置射频电源;其中,所述第一电极和第二电极相对放置,所述第一电极和第二电极之间为所述的工艺腔;所述激励射频电源用于向所述第一电极输入激励射频功率;所述偏置射频电源用于向所述第二电极输入偏置射频功率;其特征在于:所述激励射频电源和/或偏置射频电源为具有间断起辉模式和连续起辉模式的射频电源;所述等离子体刻蚀装置还包括与所述具有间断起辉模式和连续起辉模式的射频电源连接的射频电源控制器,用于控制所述射频电源在间断起辉模式和连续起辉模式之间切换;其中,所述间断起辉模式为在单位射频周期的部分时间有功率输出的起辉模式;所述连续起辉模式为在单位射频周期的全部时间均有功率输出的起辉模式。 |
地址 |
100016 北京市朝阳区酒仙桥东路一号M5楼北方微电子 |