发明名称 | 一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法 | ||
摘要 | 一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法,涉及一种半导体材料工业硅。提供一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法。将工业硅原料和造渣剂放进石墨坩埚;抽真空,启动中频感应电源加热,使石墨坩埚中的硅料和渣料熔化;待石墨坩埚内物料全部熔化后,将坩埚上方的石墨通气棒预热;向体系中开始通入惰性气体,待预热充分后将通气棒开始通气搅拌;渣过程中,通过调整中频功率,使反应温度为1550~1850℃;待造渣充分后将通气棒升离坩埚,然后通过翻转浇铸将硅液倒入石墨模具中,静置,冷却后取出硅锭,去除头尾杂质富集部分,得到提纯后的多晶硅锭,测量熔炼后的硼、磷杂质含量。 | ||
申请公布号 | CN101870472B | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
申请号 | CN201010109835.2 | 申请日期 | 2010.02.09 |
申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 罗学涛;龚惟扬;李锦堂;陈朝 |
分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人 | 马应森 |
主权项 | 一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法,其特征在于包括以下步骤:1)将工业硅原料和造渣剂放进石墨坩埚;所述造渣剂为RXOY‑SiO2‑BaO‑CaF2,其中RXOY为常用稀土氧化物Y2O3、La2O3、CeO2或Sm2O3;所述RXOY占RXOY‑SiO2‑BaO‑CaF2的质量百分比为20%~50%,BaO为10%~20%,SiO2为30%~50%,CaF2为5%~10%;2)抽真空,启动中频感应电源加热,使石墨坩埚中的硅料和渣料熔化;3)待石墨坩埚内物料全部熔化后,将坩埚上方的石墨通气棒预热;4)向体系中开始通入惰性气体,待预热充分后将通气棒开始通气搅拌;5)造渣过程中,通过调整中频功率,使反应温度为1550~1850℃;6)待造渣充分后将通气棒升离坩埚,然后通过翻转浇铸将硅液倒入石墨模具中,静置,冷却后取出硅锭,去除头尾杂质富集部分,得到提纯后的多晶硅锭,测量熔炼后的硼、磷杂质含量。 | ||
地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 |