发明名称 一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法
摘要 一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法,涉及一种半导体材料工业硅。提供一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法。将工业硅原料和造渣剂放进石墨坩埚;抽真空,启动中频感应电源加热,使石墨坩埚中的硅料和渣料熔化;待石墨坩埚内物料全部熔化后,将坩埚上方的石墨通气棒预热;向体系中开始通入惰性气体,待预热充分后将通气棒开始通气搅拌;渣过程中,通过调整中频功率,使反应温度为1550~1850℃;待造渣充分后将通气棒升离坩埚,然后通过翻转浇铸将硅液倒入石墨模具中,静置,冷却后取出硅锭,去除头尾杂质富集部分,得到提纯后的多晶硅锭,测量熔炼后的硼、磷杂质含量。
申请公布号 CN101870472B 申请公布日期 2012.01.11
申请号 CN201010109835.2 申请日期 2010.02.09
申请人 厦门大学 发明人 罗学涛;龚惟扬;李锦堂;陈朝
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人 马应森
主权项 一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法,其特征在于包括以下步骤:1)将工业硅原料和造渣剂放进石墨坩埚;所述造渣剂为RXOY‑SiO2‑BaO‑CaF2,其中RXOY为常用稀土氧化物Y2O3、La2O3、CeO2或Sm2O3;所述RXOY占RXOY‑SiO2‑BaO‑CaF2的质量百分比为20%~50%,BaO为10%~20%,SiO2为30%~50%,CaF2为5%~10%;2)抽真空,启动中频感应电源加热,使石墨坩埚中的硅料和渣料熔化;3)待石墨坩埚内物料全部熔化后,将坩埚上方的石墨通气棒预热;4)向体系中开始通入惰性气体,待预热充分后将通气棒开始通气搅拌;5)造渣过程中,通过调整中频功率,使反应温度为1550~1850℃;6)待造渣充分后将通气棒升离坩埚,然后通过翻转浇铸将硅液倒入石墨模具中,静置,冷却后取出硅锭,去除头尾杂质富集部分,得到提纯后的多晶硅锭,测量熔炼后的硼、磷杂质含量。
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