发明名称 |
一种三阴极多级直流弧放电等离子体发生装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种三阴极多级直流弧放电等离子体发生装置,该等离子体发生装置在放电腔室(5)的顶部设有三根铈钨阴极(2),在放电腔室(5)的顶部设有与工作气体源连接的气体源接口(3),在放电腔室(5)的底部设有绝缘层(7),在绝缘层(7)下设有水冷铜板(10),绝缘层-水冷铜板交错叠加5-8次,各绝缘层(7)和水冷铜板(10)的中心孔连通构成放电通道(15),设有拉瓦尔喷嘴(17)的阳极(9)安装在最下面绝缘层(16)的下方,阳极(9)直接接地,三根水冷钨阴极(2)与直流电源连接。本实用新型不仅能保证产生高密度等离子体,而且还具有电源能量转换率高、操作和维护方便、使用寿命长等优点,特别适合进行快速薄膜沉积使用。 |
申请公布号 |
CN202111925U |
申请公布日期 |
2012.01.11 |
申请号 |
CN201120128426.7 |
申请日期 |
2011.04.27 |
申请人 |
成都科尚科技有限公司 |
发明人 |
陈波 |
分类号 |
H05H1/48(2006.01)I |
主分类号 |
H05H1/48(2006.01)I |
代理机构 |
成都科奥专利事务所(普通合伙) 51101 |
代理人 |
王蔚 |
主权项 |
一种三阴极多级直流弧放电等离子体发生装置,包括放电腔室(5)、阴极(2)和阳极(9),阳极(9)接地,阴极(2)与直流电源连接,其特征在于:阴极(2)为钨阴极,共三根,插装在放电腔室(5)的顶部,其尖端部分位于放电腔室(5)中,每两根钨阴极(2)之间的夹角为120°,在放电腔室(5)的顶部中央设有惰性气体源接口(3),在放电腔室(5)的底部设有绝缘层(7),在绝缘层(7)下设有水冷铜板(10),绝缘层‑水冷铜板交错叠加5‑8次,各绝缘层(7)和水冷铜板(10)的中心孔连通构成放电通道(15),设有拉瓦尔喷嘴(16)的阳极(9)安装在最下面绝缘层(7)的下方。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区天府大道北段1480号高新孵化园11号楼西楼4层402室 |