等离子体处理方法以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种等离子体处理方法以及半导体装置的制造方法，能够抑制由侧面蚀刻而引起的图案变细的问题并且通过干燥处理来高效率地去除含有堆积在图案侧壁的金属的堆积物。该等离子处理方法经过对形成在基板上的金属层进行等离子体蚀刻的工序来形成层叠结构中具有金属层的图案之后，去除含有构成金属层的金属的图案并在侧壁部堆积的堆积物，具备以下工序：保护层形成工序，在金属层的侧壁部形成该金属的氧化物或者氯化物；堆积物去除工序，使含有氟原子的气体的等离子体发生作用来去除堆积物；以及还原工序，在保护层形成工序和堆积物去除工序之后，使含有氢的等离子体发生作用来还原金属的氧化物或者氯化物。

主权项

一种等离子体处理方法，经过对形成在基板上的金属层进行等离子体蚀刻的工序来形成层叠结构中具有上述金属层的图案之后，去除含有构成上述金属层的金属并在上述图案的侧壁部堆积的堆积物，该等离子体处理方法的特征在于，具备以下工序：保护层形成工序，在上述金属层的侧壁部形成上述金属的氧化物或者氯化物；堆积物去除工序，使含有氟原子的气体的等离子体发生作用来去除上述堆积物；以及还原工序，在上述保护层形成工序和上述堆积物去除工序之后，使含有氢的等离子体发生作用来还原上述金属的氧化物或者氯化物。