| 发明名称 | 相变存储器、底部电极及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种相变存储器、底部电极及其制作方法，其中底部电极的制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成具有柱形图形的铸模层；在所述铸模层的垂直外表面形成环柱状的侧壁电极；在所述侧壁电极的外表面形成绝缘的支撑侧壁。本发明所形成的底部电极与相变层具有较小的接触面积，同时能够避免在相变存储器的制作过程中，从半导体衬底脱落。 | ||
| 申请公布号 | CN102315384A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201010223482.9 | 申请日期 | 2010.07.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何其旸 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种底部电极的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成具有柱形图形的铸模层；在所述铸模层的垂直外表面形成环柱状的侧壁电极；在所述侧壁电极的外表面形成绝缘的支撑侧壁。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||