发明名称 光掩膜、其制造方法、使用该光掩膜的图形形成方法、以及光掩膜的数据生成方法
摘要 同时形成含有细线图形的各种尺寸图形时,对任意尺寸的图形形成能够获得掩膜误差因子(MEF)降低效果。对曝光光具有透光性的透射性基板100上,使得由遮光部101和半遮光部102构成的掩膜图形被设置为由透光部104围绕。半遮光部102被配置在掩膜图形的外缘区域,对透射透光部104的曝光光为同相位并且部分地使曝光光透射。
申请公布号 CN101322072B 申请公布日期 2012.01.11
申请号 CN200780000467.4 申请日期 2007.02.27
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 三坂章夫
分类号 G03F1/26(2012.01)I;G03F1/00(2006.01)I 主分类号 G03F1/26(2012.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种光掩膜,在对曝光光具有透光性的透射性基板上设有掩膜图形,其特征在于:上述掩膜图形具有遮光部和半遮光部;透光部被设在上述透射性基板上,该透光部围绕上述掩膜图形并且对上述曝光光具有透光性;上述半遮光部,被配置在上述掩膜图形的外缘区域的至少一部分,而对于透射过上述透光部的上述曝光光以同相位并且使上述曝光光部分地透射;上述半遮光部对上述曝光光的透射率在4%以上并且在64%以下,在上述掩膜图形的上述外缘区域所设的上述半遮光部的宽度为M×λ/NA以下,λ为上述曝光光的波长,M和NA为曝光机的缩小投影光学系的缩小倍率及数值孔径。
地址 日本大阪府