摘要 |
Integriertes Schaltkreisbauelement mit einer E/A-ESD-Schutzzelle (130, 330), wobei die E/A-ESD-Schut(132, 332) als Leistungsversorgungsspannung-ESD-Schutzelement, das zwischen eine E/A-Kontaktstelle und eine VDD-Leitung eingeschleift ist, – ein VSS-ESD-Schutzelement (134, 334) als Massespannungs-ESD-Schutzelement, das zwischen die E/A-Kontaktstelle und eine VSS-Leitung eingeschleift ist, und – ein Leistungsbegrenzungselement (136, 336), das zwischen die VDD-Leitung und die VSS-Leitung eingeschleift ist, – wobei das VDD-ESD-Schutzelement, das Leistungsbegrenzungselement und da entlang einer geraden Linie benachbart zueinander angeordnet sind oder unter teilweiser Überlappung mit gemeinsamer Nutzung eines aktiven Bereichs benachbart zueinander angeordnet sind und – wobei das Leistungsbegrenzungselement zwischen dem VDD-ESD-Schutzelement und dem VSS-ESD-Schutzelement angeordnet ist.
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申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, HAN-GU;LEE, KI-TAE;KO, JAE-HYOK;KIM, WOO-SUB;JANG, SUNG-PIL |