Steuerung kritischer Abmessungen in optischen Abbildungsprozessen für die Halbleiterherstellung durch Extraktion von Abbildungsfehlern auf der Grundlage abbildungsanlagenspezifischer Intensitätsmessungen und Simulationen

摘要

Schwankungen in den kritischen Abmessungen von Schaltungsstrukturelementen komplexer Halbleiterbauelemente können verhindert werden, indem effizient masken- und/oder abbildungsanlagenspezifische Ungleichmäßigkeiten mit hoher räumlicher Auflösung extrahiert werden, indem gemessene Intensitätswerte und simulierte Intensitätswerte verwendet werden. Beispielsweise kann ein anlageninterner Strahlungssensor zum Messen der Intensität einer Abbildung einer Lithographiemaske verwendet werden, während die simulierten Intensitätswerte es ermöglichen, maskenmusterspezifische Intensitätsbeiträge zu eliminieren. Auf diese Weise kann die hohe räumliche Auflösung der entsprechenden Korrekturkarte erreicht werden, ohne dass ein unerwünschter Aufwand im Hinblick auf Personal- und Messanlagenressourcen erforderlich ist.