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Dünnschichttransistor-Arraysubstrat (101), im Folgenden TFT-Arraysubstrat, mit: – einer Gateelektrode (106), die mit einer Gateleitung (102) verbunden ist; – eine untere Gatekontaktfleckelektrode (152) und eine untere Datenkontaktfleckelektrode (162) aus einem Gatematerial auf dem Substrat (101); – einer Sourceelektrode (108), die mit einer Datenleitung (104) verbunden ist, die die Gateleitung (102) schneidet, um einen Pixelbereich (105) zu bilden; – einer Drainelektrode (110), die der Sourceelektrode (108) zugewandt ist, wobei dazwischen ein Kanal eingefügt ist; – einer Halbleiterschicht, die den Kanal zwischen der Sourceelektrode (108) und der Drainelektrode (110) bildet; – einer Kanal-Passivierungsschicht (120), die auf dem Kanal ausgebildet ist, um die Halbleiterschicht zu schützen; – einer Pixelelektrode (122), die im Pixelbereich (105) angeordnet ist und das Substrat (101) direkt kontaktiert und mit der Drainelektrode in Kontakt steht; – einem Speicherkondensator (140) mit der sich über die Gateleitung (102) erstreckenden Pixelelektrode (122), um auf einer... |
