Teststruktur zum Steuern des Einbaus von Halbleiterlegierungen in Transistoren, die Metallgateelektrodenstrukturen mit großemΣaufweisen

摘要

Bei der Herstellung kritischer schwellwerteinstellender Halbleiterlegierungen und/oder verformungsinduzierender eingebetteter Halbleitermaterialien in komplexen Halbleiterbauelementen werden zumindest die jeweiligen Ätzprozesse effizient auf der Grundlage mechanisch gewonnener Profilmessdaten überwacht, indem eine geeignet gestaltete Teststruktur vorgesehen wird. Folglich können komplexe Prozesssequenzen, die auf Vollsubstrathalbleiterbauelementen ausgeführt werden, effizient überwacht und/oder gesteuert werden mittels der mechanisch gewonnenen Profilmessdaten, ohne dass eine wesentliche Verzögerung stattfindet. Beispielsweise kann eine bessere Gleichmäßigkeit beim Vorsehen einer schwellwerteinstellenden Halbleiterlegierung in komplexen Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; für nicht-SOI-Bauelemente erreicht werden.