发明名称 Verfahren zum Entwerfen des Layouts eines integrierten Schaltkreises und zugehöriger integrierter Schaltkreis
摘要 Verfahren zum Entwerfen des Layouts eines integrierten Schaltkreises, bei welchem – Zellen (1–5) bereitgestellt werden, wobei äußere Begrenzungslinien einer ersten Zelle (5) und einer zweiten Zelle (4) jeweils die Form eines Polygons mit mindestens fünf Eckpunkten aufweisen, und – die Zellen (1–5) zum Erstellen des Layouts des integrierten Schaltkreises in Reihen platziert werden, wobei – die maximalen Ausdehnungen sämtlicher platzierter Zellen (1–5) in einer ersten Richtung (10) gleich sind, – die Reihen entlang einer zur ersten Richtung (10) senkrechten zweiten Richtung (11) ausgerichtet sind, – die erste Zelle (5) eine L-förmige äußere Begrenzungslinie aufweist, – die zweite Zelle (4) eine T-förmige äußere Begrenzungslinie aufweist, und – die erste Zelle (5) und die zweite Zelle (4) derart in derselben Reihe benachbart zueinander angeordnet sind, dass ihre äußeren Begrenzungslinien ineinander eingreifen.
申请公布号 DE102007001196(B4) 申请公布日期 2012.01.05
申请号 DE200710001196 申请日期 2007.01.05
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 KUESEL, ANDREAS;AUNIS, JULIE;KAMP, WINFRIED
分类号 H01L21/822;G06F17/50 主分类号 H01L21/822
代理机构 代理人
主权项
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