| 发明名称 | 半导体异质结构二极管 | ||
| 摘要 | 平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结构，其至少在一个半导体层中产生2DEG。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102308390A | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN200980156127.X | 申请日期 | 2009.12.03 |
| 申请人 | 特兰斯夫公司 | 发明人 | 吴毅锋;乌梅什·米什拉;普里米特·帕里克;储荣明;伊兰·本-雅各布;申立坤 |
| 分类号 | H01L29/868(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/868(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 谷惠敏;穆德骏 |
| 主权项 | 一种二极管，包括：第一Ⅲ‑N材料层；第二Ⅲ‑N材料层，位于所述第一Ⅲ‑N材料层上，其中由于所述第一Ⅲ‑N材料层和所述第二Ⅲ‑N材料层之间的成分差异，2DEG沟道位于所述第一Ⅲ‑N材料层中；和两个端子，其中第一端子是由与所述第二Ⅲ‑N材料层形成的肖特基接触构成的阳极，并且第二端子是与所述2DEG沟道欧姆接触的单一阴极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||